Fotodetectores a base de grafeno y PEDOT:PSS

Abstract

El grafeno, novedoso material cuyas características ópticas y electrónicas han despertado mucho interés para realizar aparatos optoelectrónicos como los fotodetectores. Los fotodetectores son dispositivos que utilizan junturas tipo p-n y el efecto fotoeléctrico para convertir señales electromagnéticas en eléctricas. En este trabajo se realizaron dispositivos fotodetectores a base de grafeno y PEDOT:PSS (Poli(3,4-etilendioxitiofeno)-poli(estireno sulfonato) ) como juntura tipo n y P3HT (poli(3-hexiltiofeno-2,5-diil) como juntura tipo p. Para este estudio se utilizaron los métodos de exfoliación electroquímica para la fabricación de grafeno y spray coating para la deposición de los materiales. Se crearon dispositivos fotodetectores cuyas respuestas del orden de segundos son dependientes del espesor de los materiales

Graphene, a novel material whose optical and electronic characteristics have raised great interest in making optoelectronic devices. Photodetectors are devices that use p-n junctions and the photoelectric effect to convert electromagnetic signals into electrical ones. In this work photodetectors based on graphene and PEDOT: PSS (Poly (3,4- ethylenedioxythiophene) -poly (styrene sulfonate)) as n-doped layer and P3HT (poly (3-hexylthiophene- 2, 5-diyl) as the p-doped one were prepared. In this study we used the electrochemical exfoliation and spray-coating methods for the graphene manufacturing and for the deposition of materials. Photodetector devices were created with responses of the order of seconds depending on the thickness of the materials